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DMT10H072LFV-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.7A 20A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H072LFV-7
- 商品编号
- C5245409
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 228pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 低 R\textDS(ON) —— 确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,有助于缩小终端产品尺寸
- 低导通电阻
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等