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DMP3018SSS-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.5A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3018SSS-13
- 商品编号
- C5245380
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.147nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装高度低，最大封装高度为0.42mm
- 封装尺寸为0.62mm x 0.62mm
- 导通电阻低
- 栅极阈值电压极低，最大为 -1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关