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DMP1055UFDB-7
2个P沟道 耐压:12V 电流:3.9A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1055UFDB-7
- 商品编号
- C5245347
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型封装,最大高度0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器