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DMP2004DMK-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:550mA
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- 描述
- 特性：双P沟道MOSFET。低导通电阻。极低的栅极阈值电压 VGS(TH) < 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。ESD保护栅极。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2004DMK-7
- 商品编号
- C5245348
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压VGS(TH) < 1 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器