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DMP2016UFDF-7实物图
  • DMP2016UFDF-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP2016UFDF-7

P沟道增强型MOSFET

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描述
此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP2016UFDF-7
商品编号
C5245351
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.042409克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on))9.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)30nC@8V
输入电容(Ciss)1.71nF
反向传输电容(Crss)112pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)200pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
  • 4mm2 的 PCB 占位面积
  • 低栅极阈值电压
  • 低导通电阻
  • 栅极具备 ESD 保护
  • 完全无铅且符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑的“绿色”器件

应用领域

  • 电池管理应用
  • 电源管理功能
  • DC-DC 转换器

数据手册PDF