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DMP21D2UFA-7B
1个P沟道 耐压:20V 电流:330mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP21D2UFA-7B
- 商品编号
- C5245365
- 商品封装
- X2-DFN0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@1.8V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 49pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 100%单脉冲雪崩能量（UIS）额定
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能