DMP2077UCA3-7
P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在减少手持和移动应用中的占用空间。它可以用来替代许多占用空间非常小的小信号MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2077UCA3-7
- 商品编号
- C5245359
- 商品封装
- X4-DSN1006-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 MOSFET 旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低Qg和Qgd
- 小占位面积
- 低外形,高度仅0.20mm
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池管理:负载开关
- 电池保护
- 手持和移动应用
