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DMP1007UCB9-7
1个P沟道 耐压:8V 电流:13.2A
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- 描述
- 这款第三代横向MOSFET（LD - MOS）经过精心设计，可将导通状态损耗降至最低，并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积的极小导通电阻RDS(ON)相结合，提高了功率密度。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1007UCB9-7
- 商品编号
- C5245342
- 商品封装
- UWLB1515-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 具有最低品质因数的LD - MOS技术
- RDS(ON) = 5.7 mΩ,可将导通损耗降至最低
- Qg = 8.2 nC,实现超快速开关
- VGS(TH)典型值为 - 0.6 V,开启电压低
- 占位面积为1.5 mm × 1.5 mm的CSP封装
- 高度为0.62 mm,外形低矮
- 栅极具有ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关