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DMN6069SE-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN6069SE-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:4.3A

描述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(ROS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN6069SE-13
商品编号
C5245325
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on))69mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)825pF
反向传输电容(Crss)29pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)40pF

商品概述

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 开关速度快
  • 导通电阻低
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 该产品符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性。
  • 符合汽车应用标准的产品型号(DMN6069SEQ)有单独的数据手册。

应用领域

  • 电机控制
  • 变压器驱动开关
  • DC - DC转换器
  • 电源管理功能
  • 不间断电源

数据手册PDF