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DMN6069SE-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.3A
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（ROS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6069SE-13
- 商品编号
- C5245325
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm超薄封装——非常适合薄型应用
- 4mm² PCB占位面积
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理应用
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器