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DMN2991UFZ-7B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2991UFZ-7B

1个N沟道 耐压:20V 电流:550mA

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN2991UFZ-7B
商品编号
C5245292
商品封装
X2-DFN0606-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.006667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)550mA
导通电阻(RDS(on))600mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)450mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))800mV@250uA
栅极电荷量(Qg)350pC@4.5V
输入电容(Ciss)21.5pF
反向传输电容(Crss)3.7pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.9pF

数据手册PDF