温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3016LFDF-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3016LFDF-7
- 商品编号
- C5245302
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MPT028N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，当栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 180 A时，导通电阻RDSon < 3 mΩ (典型值: 2.7 mΩ )
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
-电池管理系统(BMS)-大电流开关应用