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DMN3016LFDF-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3016LFDF-7
- 商品编号
- C5245302
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 厚度 0.6mm,适合低外形应用
- PCB占位面积为 4mm^2
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤和无锑“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具备高可靠性
应用领域
-电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器