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DMN3016LDV-7
耐压:30V 电流:21A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3016LDV-7
- 商品编号
- C5245300
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.184nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ZXMS6004N8Q是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管（IntelliFET）。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。对于在标准MOSFET不够耐用的恶劣环境中，由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关应用，ZXMS6004N8Q是理想之选。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 模拟开关