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DMN3024SFG-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3024SFG-7
- 商品编号
- C5245308
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 479pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低封装高度，最大封装高度0.42mm
- 封装尺寸为0.62mm × 0.62mm
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的型号（DMN2991UFZQ），其数据手册单独提供
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关