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DMN2550UFA-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.6A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2550UFA-7B
- 商品编号
- C5245284
- 商品封装
- X2-DFN0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52.5pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4842是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4842为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 16毫欧（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 25毫欧（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换