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DMN2550UFA-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.6A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2550UFA-7B
- 商品编号
- C5245284
- 商品封装
- X2-DFN0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4842是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4842为无铅产品。
商品特性
- 封装高度低,最大封装高度为0.4mm
- 封装尺寸为 0.48;mm^2,比SOT23小16倍
- 导通电阻低
- 栅极阈值电压极低,最大为1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关