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DMN2710UT-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.87A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2710UT-13
- 商品编号
- C5245286
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RSS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为 3.5 mm × 1.9 mm 的 CSP
- 低外形高度为 0.11mm
- 栅极静电放电保护
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护