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DMN2320UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（R(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2320UFB4-7B
- 商品编号
- C5245283
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.07W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 890pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4832是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4832为无铅产品。
商品特性
- 占位面积仅为 0.6 mm^2,比SOT23小十三倍
- 厚度为0.4mm,非常适合薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 栅极具有2KV静电放电保护
应用领域
-负载开关