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DMN2044UCB4-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在将导通电阻（Rds(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。它是一款采用超小型 1.0mm x 1 封装的高性能 MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2044UCB4-7
- 商品编号
- C5245276
- 商品封装
- U-WLB1010-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@1.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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