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DMN2055U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.8A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2055U-7
- 商品编号
- C5245279
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 33000 个)个
起订量：33000 个3000个/圆盘
总价金额：
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