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DMG3414U
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：25mΩ（VGS = 4.5V）。 29mΩ（VGS = 2.5V）。 37mΩ（VGS = 1.8V）。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3414U
- 商品编号
- C5245251
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 780mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 829.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = 4.5 V时为25 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时为29 mΩ
- 在VGS = 1.8 V时为37 mΩ
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC - Q),具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号(DMG3414UQ),其规格书单独提供