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DMN2004VK-7B
2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 超小表面贴装封装。 ESD保护栅极。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004VK-7B
- 商品编号
- C5245268
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-超小表面贴装封装-静电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光源
- DC-DC转换器
- 电源管理功能