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DMN2005UPS-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 在设计上最大限度地降低了导通电阻 RDS(ON)，同时保持了卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005UPS-13
- 商品编号
- C5245269
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.337nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 505pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MDT08N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 散热高效封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度 <1.1mm —— 非常适合轻薄应用
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该部件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理