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DMN2004DMK-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”设备。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004DMK-7
- 商品编号
- C5245267
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- N沟道：VGS(TH) < 1 V
- P沟道：VGS(TH) < -1 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电源转换电路