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DMN10H170SFG-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.9A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H170SFG-13
- 商品编号
- C5245259
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 940mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 870.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器