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DMN10H6D2LFDB-7
耐压:100V
- 描述
- 此MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H6D2LFDB-7
- 商品编号
- C5245260
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V；600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF |
商品概述
WSR4N65F是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR7N65F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 高漏源电压额定值
- 静电放电(ESD)防护高达1kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-开关应用