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DMN10H120SFG-7
耐压:100V 电流:3.8A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（Rₒₛ(ₒₙ)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H120SFG-7
- 商品编号
- C5245258
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 549pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的漏源电阻（RDS）-栅极电荷（Qg）品质因数（FOM）
- 针对最低的漏源电阻（RDS）-输出电容电荷（Qoss）品质因数进行优化
- 100%进行反向恢复电荷（Rq）和非钳位电感开关（UIS）测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业领域