QNM20N15AYG

N沟道SGT MOSFET，采用先进分裂栅沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低且无铅

描述

1个N沟道，共源配置；Vdss=150V，Id=15A；RDS(ON)=59mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=2.5~4.5V；Ciss=373pF，Coss=94pF，Crss=6.6pF；Pd=28W，Qg=5.3nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进分裂栅沟槽工艺；应用于通信及工业自动化电源管理、DC/DC与AC/DC子系统电流开关、电动工具、电动车、机器人电机驱动。

品牌名称

QNHCHIP(乾能惠)

商品型号

QNM20N15AYG

商品编号

C54300926

商品封装

PDFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.072克(g)