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QNM30N20AJ
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低且栅极电荷低，适用于负载开关、PWM应用和电源管理 停产
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=18A；RDS(ON)=12.7mΩ@4.5V;8.7mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.2V；Ciss=835pF，Coss=100pF，Crss=81pF；Pd=18W，Qg=16nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30N20AJ
- 商品编号
- C54300927
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 30V、18A
- RDS(ON)典型值 = 8.7mΩ，栅源电压 = 10V
- RDS(ON)典型值 = 12.7mΩ，栅源电压 = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理