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QNM7426
采用先进沟槽技术的30V N沟道MOSFET，导通电阻低且栅极电荷低
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=52A；RDS(ON)=6.2mΩ@4.5V;4.1mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.5V；Ciss=1788pF，Coss=225pF，Crss=180pF；Pd=35W，Qg=34nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM7426
- 商品编号
- C54300925
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- 30V，52A
- RDS(ON)典型值 = 4.1mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 6.2mΩ，VGS = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理