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QNM120N02AX
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=12V，Id=80A；RDS(ON)=2.4mΩ@2.5V;1.9mΩ@4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=0.4~1V；Ciss=4940pF，Coss=1228pF，Crss=1128pF；Pd=28W，Qg=50nC@4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM120N02AX
- 商品编号
- C54300924
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 12V，80A
- RDS(ON)典型值 = 1.9mΩ，栅源电压 = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 2.4mΩ，栅源电压 = 2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理