温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QNM120N02AX
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅 停产
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=12V，Id=80A；RDS(ON)=2.4mΩ@2.5V;1.9mΩ@4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=0.4~1V；Ciss=4940pF，Coss=1228pF，Crss=1128pF；Pd=28W，Qg=50nC@4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM120N02AX
- 商品编号
- C54300924
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.128nF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.228nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 12V，80A
- RDS(ON)典型值 = 1.9mΩ，栅源电压 = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 2.4mΩ，栅源电压 = 2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理