SIHP15N65E-GE3-HXY

SIHP15N65E-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，兼容常规驱动电路并具备良好的栅极耐压能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与优异的热性能，适用于高效率电源、小型化适配器及对能效和散热有较高要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHP15N65E-GE3-HXY

商品编号

C53134060

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.24克(g)