温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFH70N65X3-HXY
IXFH70N65X3-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性与高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合对体积与热管理有较高要求的应用环境。
- 商品型号
- IXFH70N65X3-HXY
- 商品编号
- C53134065
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IXTH62N65X2-HXY
- IXTH64N65X-HXY
- NVH050N65S3F-HXY
- SIHG61N65EF-GE3-HXY
- SIHG64N65E-GE3-HXY
- STW62N65M5-HXY
- STW63N65DM2-HXY
- STW65N65DM2AG-HXY
- STW70N65M2-HXY
- SIHG041N65SF-GE3-HXY
- STW69N65M5-HXY
- STW77N65M5-HXY
- IXFY8N65X2-HXY
- FCD600N65S3R0-HXY
- SIHG33N65E-GE3-HXY
- SIHG33N65EF-GE3-HXY
- SIHG110N65SF-GE3-HXY
- SIHG125N65E-GE3-HXY
- SIHG28N65E-GE3-HXY
- FCP099N65S3-HXY
- IPP65R099CFD7AAKSA1-HXY