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IXTH62N65X2-HXY
IXTH62N65X2-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置。其宽驱动电压范围有助于提升栅极控制的灵活性，同时在高温或高频率工作条件下保持稳定性能。
- 商品型号
- IXTH62N65X2-HXY
- 商品编号
- C53134066
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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