SICW060N065H-BP-HXY

SICW060N065H-BP-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，器件在高频开关应用中可显著降低能量损耗，并支持更高结温运行。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及大功率充电设备等场景，能够在紧凑布局下维持稳定电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICW060N065H-BP-HXY

商品编号

C53134023

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)