NVHL072N65S3-HXY

NVHL072N65S3-HXY

描述

该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID达55A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的特性，在高频、高压工作条件下展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统，可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVHL072N65S3-HXY

商品编号

C53134022

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)