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SIRA12DP-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SIRA12DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼顾小型化与高效散热性能，特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR，极大提升了能源转换效率，降低了系统损耗。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIRA12DP-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51927976
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SIRA12DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 120 A
- RDS(ON) < 4.4 m Ω,VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源