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SIRA12DP-T1-GE3-MS
SIRA12DP-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIRA12DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼顾小型化与高效散热性能，特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR，极大提升了能源转换效率，降低了系统损耗。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIRA12DP-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51927976
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用安森美半导体专有的高单元密度双极型金属氧化物半导体（DMOS）技术生产的功率型 SOT N 沟道增强型功率场效应晶体管，具有极高的密度。这种高密度工艺特别经过优化，旨在最大程度降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低电压应用，例如直流电机控制和直流/直流转换，因为在这些应用中需要快速开关、低在线功率损耗以及抗瞬变能力。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -55A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源