温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP34M4SPS-13-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款DMP34M4SPS-13-MS是一款P沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源耐压（VDSS）与110A额定漏极电流（ID），可满足较高功率密度的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为3mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效表现。该器件适用于各类电源管理系统、开关控制电路以及电池供电设备中的功率切换应用，具备良好的热稳定性和可靠性，能够胜任复杂工况下的持续运行任务。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMP34M4SPS-13-MS
- 商品编号
- C51928005
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMP34M4SPS-13-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -100 A
- RDS(ON) < 4 mΩ,VGS = -10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源