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CSD16321Q5-MS
CSD16321Q5-MS
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- 描述
- 此款CSD16321Q5-MS是一款N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术，体积精巧，性能强大。此器件承载电压高达30V，最大连续漏极电流可达150A，确保在高压大电流环境下稳定运行。其优异的导通电阻仅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系统效能，特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD16321Q5-MS
- 商品编号
- C51928006
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2238克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
CSD16321Q5-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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