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BSC039N06NS-MS
采用先进SGT MOS FET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
- 描述
- 此款BSC039N06NS-MS是一款N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC039N06NS-MS
- 商品编号
- C51927997
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC039N06NS-MS采用先进的SGT MOS FET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 125 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用