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IRFH9310TRPBF-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款IRFH9310TRPBF-MS是一款P沟道消费级MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。器件具有30V额定电压，并能承载高达90A的连续电流，适用于高效电源开关、电池管理系统以及大电流负载切换场景，提供卓越的能效与出色的散热性能，是现代电子设备的理想核心组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IRFH9310TRPBF-MS
- 商品编号
- C51927999
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2298克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRFH9310TRPBF-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -90A
- RDS(ON) < 4.5 mΩ VGS = -10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源