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BSC109N10NS3G-MS
BSC109N10NS3G-MS
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- 描述
- 此款BSC109N10NS3G-MS是一款N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，具备出色的100V电压耐受力与高达75A的连续电流处理能力，专为高功率、高效率电子设备设计，提供卓越开关性能及低导通电阻，助力提升系统整体效能。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC109N10NS3G-MS
- 商品编号
- C51928003
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2194克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC109N10NS3G-MS采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ，栅源电压VGS = 10 V
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用