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SIR464DP-T1-GE3-MS
SIR464DP-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIR464DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，显示出卓越的电力处理性能。其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅度降低功耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域，是您构建高效节能电路的首选半导体器件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIR464DP-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51927991
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2234克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIR464DP-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源