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CSD17506Q5A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款CSD17506Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用了紧凑型DFN5X6-8L封装设计，兼顾空间利用率和散热效果。器件额定电压VDSS为30V，具备高达120A的连续电流ID处理能力，充分满足高功率应用需求。其3.5mR的超低导通电阻，极大提升了系统能效，降低损耗。该MOS管广泛应用于电动车充电、电源转换器、电机驱动等场合，出厂前经过严格的质量检验，确保在极端条件下也能保持卓越稳定的性能表现。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD17506Q5A-MS
- 商品编号
- C51927993
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2306克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 326pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD17506Q5A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 90 A
- RDS(ON) < 4.7 mΩ,Vgs = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源