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BSC027N06LS5ATMA1-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性，适用于消费电子电源、电机控制和同步整流应用
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- 描述
- 此款BSC027N06LS5ATMA1-MS是一款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高稳定性的特点，适用于多种功率电子系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用优化设计，具备快速开关响应和良好热稳定性，适合应用于电源转换器、储能系统、电机控制电路以及各类精密电子设备中的功率管理环节。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC027N06LS5ATMA1-MS
- 商品编号
- C51927981
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC027N06LS5ATMA1-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 125 A
- 导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ(栅源电压VGS = 10 V时)
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用