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AON6413-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款AON6413-MS是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度和低能耗应用设计。它具备30V的额定电压VDSS，能轻松承载高达70A的连续电流，充分展现强大的电流传导能力。尤为出众的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mR，极大优化了系统能效，降低了损耗。无论是电源转换、电池管理系统还是高效节能设备，AON6413 都能以其卓越的电气性能，成为您理想的半导体组件选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6413-MS
- 商品编号
- C51927988
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON6413-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -70A
- RDS(ON) < 8.8 mΩ,VGS = -10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源