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CSD18533Q5A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
- 描述
- 此款CSD18533Q5A-MS是一款N沟道场效应管，它具有80A的连续排水电流（ID），可在最高60V（VDSS）的电压下工作，展现了其在高功率密度应用中的潜力。该MOSFET的导通电阻（RDSON）仅为5.3毫欧，在25V的栅源电压（VGS）驱动下能有效降低功耗，适用于需要高效能转换的场合，如电源适配器、LED照明驱动以及便携设备的电池管理等，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD18533Q5A-MS
- 商品编号
- C51927989
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD18533Q5A-MS采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 80A
- RDS(ON) < 7 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源