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AON6226-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款AON6226-MS为N沟道场效应管它具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于高电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，确保了在高压环境下的可靠性。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，在导通状态下能有效降低能耗。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，提供了可靠的栅极驱动范围。此MOSFET适用于需要高效能电源管理的设备中，如消费电子产品中的电源转换及稳压电路等。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6226-MS
- 商品编号
- C51927990
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON6226-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ,栅源电压Vgs = 10 V
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流隔离直流-同步整流应用