温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18534Q5A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款CSD18534Q5A-MS是一款MOS管。其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率传输并降低发热。栅极驱动电压（VGS）为20V，具备良好的开关特性与稳定性。器件适用于消费类电子、通信设备及便携式产品的电源转换、电机控制和电池管理等应用场景。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD18534Q5A-MS
- 商品编号
- C51927985
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD18534Q5A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 65A
- RDS(ON) < 11 mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源