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CSD18563Q5A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款CSD18563Q5A-MS是一款N沟道场效应管它具备80A的额定漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）环境下稳定运行。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，在25V栅源电压（VGS）下表现出色，有助于减少能量损耗并提高系统效率。此MOSFET适用于多种高效能电源管理场合，例如便携式设备中的DC/DC转换器，以及需要快速开关特性的PWM控制器应用，能够提供可靠的电流控制和保护功能。其优化的电气特性使得它非常适合于对尺寸和效率有严格要求的现代电子产品设计中。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD18563Q5A-MS
- 商品编号
- C51927987
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD18563Q5A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 80A
- RDS(ON) < 7 mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源