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IPG20N06S2L-50A-MS
采用先进SGT MOSFET技术的双N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款IPG20N06S2L-50A-MS是一款N+N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高效能与空间受限应用打造。器件支持最高60V的电压VDSS，能稳定承载50A的大电流，表现出众。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR，有效降低了系统功耗，提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景，是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IPG20N06S2L-50A-MS
- 商品编号
- C51927982
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPG20N06S2L-50A-MS采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用