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CSD16403Q5A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，以其紧凑尺寸实现高性能集成。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流应用中的稳定运行。其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ，助力降低功耗、提升整体能效，广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是实现高效、节能电路设计的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD16403Q5A-MS
- 商品编号
- C51927979
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD16403Q5A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源